有鉴于许多网友询问 CCD 与 CMOS 的主要差别。我们暂时撇开复杂的技术文字,透过简单的比较来看这两种不同类型,作用相同的影像感光元件。 & Q+ ^$ {9 M m& @4 o# O3 O 不管,CCD 或 CMOS,基本上两者都是利用矽感光二极体(photodiode)进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近,光线越强、电力越强;反之,光线越弱、电力也越弱的道理,将光影像转换为电子数字信号。' A+ U( D d" @1 s
3 I# {0 u3 z* r8 l+ m5 p9 u/ }. _ 比较 CCD 和 CMOS 的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说,按我们在上一讲“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之内容。CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大,再串联 ADC 输出;相对地,CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC(放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信号。 2 g: q- k* E' n( B3 O , l" s" T- t2 |, g5 _# `* d* Z- B$ T- F4 Z + `! [7 Z5 d W1 a
6 r' s9 w. |; z; d5 D+ t/ i" V; w两者优缺点的比较 ) [( X' i1 U! w$ b: v" @. c * o! [: U2 z, m' ~$ Q3 Z8 Z6 K |! fCCD CMOS7 {4 r4 |& X: A$ w0 }. y; L$ S, Q 设计 单一感光器 感光器连接放大器6 d b+ ?) ~; U3 k D; g8 \ 灵敏度 同样面积下高 感光开口小,灵敏度低2 o: ?: h/ p- t% ~7 ~ 成本 线路品质影响程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低 $ ~4 `) H8 H! p: v& D解析度 连接复杂度低,解析度高 低,新技术高 + z6 l+ b' D' K2 T. Q噪点比 单一放大,噪点低 百万放大,噪点高- A- P; d, z! z% y) ~2 l3 p4 M 功耗比 需外加电压,功耗高 直接放大,功耗低 5 N" U! l4 V- Y+ Q. }/ b( V/ f * t: U2 \* A7 N# i% d" B6 q 由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。5 F$ ]) L# r4 M) O/ S+ P A# |" c
# |5 x3 l" A: `' W0 g2 D 整体来说,CCD 与 CMOS 两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:/ Q7 J( `, v4 G" n& s0 \ . k2 L7 w; B, Q ISO 感光度差异:由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此 相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS的感光度会低于CCD。* H; o( j* J. x8 v" N 0 @. [" W/ H, ]0 i* y* z5 `4 J 成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失;相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的 讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边,CCD的制造成本相对高于CMOS。7 O3 n1 q4 A* G- S% b( ~; i. b
* c9 |3 ]* w0 `4 U# G3 `$ z+ p4 A) x. o 解析度差异:在第一点“感光度差异”中,由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂,其感光开口不及CCD大, 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时,CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过,如果跳脱尺寸限制,目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计,CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难,特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。 . A( m/ h! H- e. M" C# i4 z) K$ C& O4 Y7 ^% \- [4 t ~8 E 噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的 ADC 放大器,虽然是统一制造下的产品,但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在,很难达到放大同步的效果,对比单一个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。& ]; x0 g, P! ^2 _- B " W( f! K! A* f0 ~: X 耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式,感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式, 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度,高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。( O* }0 B& Q4 i0 t& v+ B
- _+ L( l. {" M, L 尽管 CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS,但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。 由于数码影像的需求热烈,CMOS的低成本和稳定供货,成为厂商的最爱,也因此其制造技术不断地改良更新,使得 CCD 与 CMOS 两者的差异逐渐缩小 。新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标,以期进入照相手机的行动通讯市场;CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合,藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现, 特别是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 CMOS 所产生的影像处理时间与能力的缩短;另外,大尺寸全片幅则以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 这一系列的数码机身为号召,CMOS未来跨足高阶的影像市场产品,前景可期。5 \0 Y7 c5 G+ W# w- M 专业测量以及高级影像测量还是主要以CCD为主。 |