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前沿科技之新的磁隧道结技术

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1#
发表于 2013-1-6 19:52:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
随机存取存储器(RAM)是一种快速电子设备,可在计算机上临时存储数据。传统的RAM基于电流。为了研发出更节能,更高效,容量更大的RAM,硬件研发人员开始把注意力转到了基于磁场的RAM上。然而,想要缩小基于磁场RAM的体积,热不稳定性会成为障碍。
' M% [2 _8 s4 m8 z! X' g. D新加坡科技研究局数据存储研究所(A*STAR Data Storage Institute)的科学家找到了一种解决方法,也许可以让小型磁存储器在较高的温度下保持稳定,同时耗电量更低。这意味着更多的数据能以更低的价格存储在一张芯片上。研究人员把磁隧道结(MTJ)应用到了存储器中。之前的研究表明,电场只有作用在相当大的设备(7微米)上可以改进磁隧道结的性质,但体积较大的结构读写速度较慢,也不容易与其他设备兼容。1 S) n7 k( W) V3 q1 b2 b

5 G+ C, S; x! e! O7 [; B数据存储研究所的科学家用CoFeB-MgO制成150纳米的MTJ,连在电极两端。这种MTJ体积更小,也可储存更多的信息。新的磁存储器可以把改变磁化的磁场需求降低30%,所以在存储器上记录数据所需的电流密度也降低了。
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展望:2 S0 e6 V: J: D2 c, s- Z
新的设备可以改进数据的复制速度。也就是说,从移动硬盘把数据转移到计算机里的时间会变得更短,硬盘读取速度也会更快。
! C% K+ p; Z9 n& X6 N( e
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2#
发表于 2013-1-6 20:01:36 | 只看该作者
俺们期待新型计算机的到来!
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