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没有EUV光刻机,能国产7nm芯片么?

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1#
发表于 2023-9-7 09:20:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

近日,华为Mate 60 Pro手机搭载的麒麟9000S处理器,将公众视线再次聚焦到了国产芯片制造之上。


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虽然目前代工厂未知,工艺未知,甚至GPUCPU核等都有很多未知,但不妨碍大家的兴奋和猜测,那就是没有EUV光刻机,我们能不能国产7nm的芯片?

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事实上,这个问题已经是老生常谈了,ASML目前在售的DUV光刻机中,有四种高端的浸润式光刻机,分别是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

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这4种浸润式光刻机,最高都是能够实现7nm芯片工艺的,怎么来实现呢,用的是多重曝光技术。

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并且目前这种多重曝光技术,还有三种不同的方案,三种方案均可以在没有EUV光刻机,仅有浸润式光刻机的情况之下,实现7nm工艺。


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这三种方式分别是LELE、LFLE、SADP。

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具体来说,LELE是指将原本一层的电路,拆分成几层进行光刻机,这样即使是DUV光刻机,也可以实现7nm。


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LFLE与LELE差不多,区别就是LELE是直接拆分成几层来光刻,而LFLE则是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上,再次进行光刻,形成两倍结构。


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而SADP技术则与上面两种完全不一样了,SADP又称侧墙图案转移,用沉积、刻蚀技术提高光刻精度。

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不过大家要注意的是,不管是LELE,还是LFLE,或者SADF技术,都提高了对刻蚀、 沉积光刻等工艺的技术要求,同时对工作台的要求也非常高,因为多次对准,不能有偏移。

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而通过多重曝光影响也比较大,一是会导致良率降低,毕竟多曝光一次,误差肯定就会变大,所以良率就会降低一些。

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同时多曝光一次,就相当于光刻的工时翻倍,效率降低一半,那么成本也会增加一倍。


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所以如果光刻机精度跟得上的情况下,一般不会采用多次曝光的技术,因为效率降低,同时良率也会显著下滑,最终导致成本可能成倍数上涨,非常不划算的。


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只有在买不到高精度的光刻机,又急需工艺较先进的芯片时,就不去考虑成本,不得不采用多重曝光技术了。

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所以我这也算是给大家解释了,为什么没有EUV光刻机,也能够生产7nm芯片的原因。不过要进入5nm,就必须使用EUV光刻机,因为DUV光刻机精度有限,不能无限的多次曝光,按照专业人士的说法,目前的DUV光刻技术下,最多4次曝光,最多也只能达到7nm。

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2#
发表于 2023-9-7 10:36:50 | 只看该作者
我只有鄙视和震惊,你总咬着不放,,兔子可难受了。要这个干啥毛用。卖地卖砖不香么?还能长治久安。
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3#
发表于 2023-9-7 11:14:00 | 只看该作者
说来说去现在连50纳米的都做不了,估计10年内都做不到20纳米的
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4#
发表于 2023-9-7 12:16:40 | 只看该作者
1、中兴突破技术到7nm- O8 Y9 w* j, l- t+ A: E
2、买二手设备翻新加工7nm
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5#
发表于 2023-10-18 21:31:55 | 只看该作者
不明白想表达什么
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