机械必威体育网址

 找回密码
 注册会员

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 2835|回复: 3
打印 上一主题 下一主题

芯片内上百亿的晶体管,是怎么"安"上去的?

[复制链接]
跳转到指定楼层
1#
发表于 2022-4-18 15:00:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如今的 7nm EUV 芯片,晶体管多达 100 亿个,它们是怎么样安上去的呢?
% v+ w# y7 i  _6 b1 z4 |0 o' a: U& w
晶体管并非是安装上去的,芯片制造其实分为沙子 - 晶圆,晶圆 - 芯片这样的过程,而在芯片制造之前,IC 设计要负责设计好芯片,然后交给晶圆代工厂。

2 p7 W8 I# M  C3 y) q+ s3 R$ U芯片设计分为前端设计和后端设计,前端设计(也称逻辑设计)和后端设计(也称物理设计)并没有统一严格的界限,涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。

* a; N  t7 K1 A

/ b' O- s. D7 m7 R/ Y5 I, X8 a
& x. v5 o$ \: ^! E/ k8 v7 w4 u6 B
如果我们将设计的门电路放大,白色的点就是衬底,还有一些绿色的边框就是掺杂层。

( y, @2 K1 |0 s" w! e6 H
, T! r, X9 A) ]9 |' X' v8 d

) [* c9 p6 L8 Q) u
当芯片设计好了之后,就要制造出来,晶体管就是在晶圆上直接雕出来的,晶圆越大,芯片制程越小,就能切割出更多的芯片,效率就会更高。
3 d$ w( ~- A$ k: e4 ~& X
举个例子,就好像切西瓜一样,西瓜更大的,但是原来是切成 3 厘米的小块,现在换成了 2 厘米,是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。
9 Q4 r: P0 O3 ]7 h- C0 N& C
制程这个概念,其实就是栅极的大小,也可以成为栅长,它的距离越短,就可以放下更多的晶体管,这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小,源极和漏极之间流过的电流就会越快,工艺难度会更大。
8 x2 q# N, ]$ H# p- B5 J2 R- X

+ C* v8 g1 s) _/ n
7 u; |4 V4 F$ B/ J% ~
芯片制造共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。

6 {  r2 W! U+ _7 D/ m, F其中雕出晶圆的最重要的两个步骤就是光刻和蚀刻,光刻技术是一种精密的微细加工技术。

. R2 E0 {& c) [* a
常规光刻技术是采用波长为 2000~4500 的紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

' d$ ]; C& m( H* X! d0 }
4 p, }: w% h9 g/ ]
5 Q% L6 P0 e8 H' T8 j- l; ?7 s
光刻技术就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。简单来说芯片设计人员设计的线路与功能区“印进”晶圆之中,类似照相机照相。
( U( [3 @" H) k0 P
照相机拍摄的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件。
% e  p" }4 l* F

0 n6 e8 v/ a- D$ t# |% |: _- y
8 |( a8 N5 y! O1 h' P  V
而蚀刻技术就是利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。

2 C) v* l# i: S8 Q$ r4 Y/ J6 e2 t) ?
集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。例如,大规模集成电路要经过约 10 次光刻才能完成各层图形的全部传递。

5 n* c. u' B  k, B
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。目前主流所用的还是干法刻蚀工艺,利用干法刻蚀工艺的就叫等离子体蚀刻机。

- p  Q/ Z5 t) X8 l$ y; R2 o在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺,应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等,通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。
. L+ J) L2 }3 l5 \/ t- V/ m8 e1 |

6 N5 H& a2 o9 G) ~8 s) N0 J  G3 v; z
在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。

! j' }& ^( p9 _7 u( E
/ y6 Y, S, H" m# Y
! R2 U( p, A) Z! Y% M3 Z4 V
溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。

% s( {/ L; O1 r1 Z6 t
8 n" D1 a) \4 J; d0 x2 j# R! _+ N
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。
; J$ O4 }" e1 w
0 v* g6 W, R& _" n
清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
- _) o4 d$ K/ E6 u" |$ `, q
: R" H" K+ {9 O  c' }
这里说一下,什么是光刻胶。我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。

4 B! ~0 }* ]5 n4 b: l+ r6 f9 X

, m( n6 u/ @, F3 w7 i7 b* c; O
而光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。在正性光刻中,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。

) u& ~% C* z7 ~& M. t
相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
+ b: t: x5 ~5 ~

! }; R* x: R( Z; k2 I5 r- g. s
可以说,在晶圆制造中,直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间,由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。
$ Z% _* K$ G' H# l- m
热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月,经过成百上千道工序,最终集成了海量的微小电子器件,经切割、封装,成为信息社会的基石——芯片。
" v1 k: P6 `- L( _4 Y+ e7 h5 y; p

5 G& n, i0 F7 L6 s1 d' J

1 ?- q" x7 _& p  Q8 K4 R( m# T
这是一个 Top-down View 的 SEM 照片,可以非常清晰的看见 CPU 内部的层状结构,越往下线宽越窄,越靠近器件层。

4 K5 t) O3 b5 [+ a3 B' i
  ^: F7 z( Q) Z9 x
/ e1 e, X1 P6 z* D4 z6 y6 y7 ?& J( d
这是 CPU 的截面视图,可以清晰地看到层状的 CPU 结构,由上到下有大约 10 层,其中最下层为器件层,即是 MOSFET 晶体管。

" C1 Z- j9 w* W+ W

1 n# `8 J: f( P! }
# E' M2 n+ x5 {' n8 f- f! N
*来源:胖福的小木屋
原文地址
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1661518867399354763&wfr=spider&for=pc
回复

使用道具 举报

2#
发表于 2022-4-19 08:14:02 | 只看该作者
看来一切尽在掌控之中
回复 支持 反对

使用道具 举报

3#
发表于 2022-4-19 08:43:40 | 只看该作者
设计相对好仿造,工艺就很难了。路还很长啊
回复 支持 反对

使用道具 举报

4#
发表于 2022-6-14 11:07:09 | 只看该作者
牛逼的
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册会员

本版积分规则

小黑屋|手机版|Archiver|机械必威体育网址 ( 京ICP备10217105号-1,京ICP证050210号,浙公网安备33038202004372号 )

GMT+8, 2025-1-10 18:14 , Processed in 0.052754 second(s), 14 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表