近日,我国“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会在长春光学精密机械与物理研究所召开,现场在众多评审专家的见证下,验收通过了该项目取得的一系列成果,大大推进了我国极紫外光刻技术的研发。 什么是极紫外光刻? 简单说,极紫外光刻就是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术,它代表了当前应用光学发展最高水平。而作为下一代光刻技术,被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。 我国中科院长春光机所自上世纪90年代就在此领域展开了相关研究,但受限于国外设备技术封锁,以及自身技术薄弱等原因,进展一直远远落后国外发展速度。2008年为了追赶国外技术水平,我国将32-22nmEUV光刻技术列为重要攻关任务,经过近8年的艰苦奋战、潜心钻研,我国才最终取得成功,顺利打破了国外在该领域的技术封锁 光刻技术作为现代集成电路设计必不可少的装置,以及最大的瓶颈,直接关系着CPU等电子芯片的发展和进步。正是因为我国在EUV光刻技术方面的滞后性,我国不得不从外国进口价格高昂的成品。 据统计,我国连续多年从西方进口芯片已经超过1万亿人民币,且这个趋势还在不断上涨,比如去年一整年就超过了1万五千亿,可以说集成电路已经成为我国国库公帑流失以及国防经济安全的巨大破洞。 所以,此次长春光机所在EUV光刻技术方面取得重大突破,其意义已经不亚于电磁弹射,甚至堪比峨眉发动机。
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