近日,华为Mate 60 Pro手机搭载的麒麟9000S处理器,将公众视线再次聚焦到了国产芯片制造之上。
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虽然目前代工厂未知,工艺未知,甚至GPU、CPU核等都有很多未知,但不妨碍大家的兴奋和猜测,那就是没有EUV光刻机,我们能不能国产7nm的芯片?
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事实上,这个问题已经是老生常谈了,ASML目前在售的DUV光刻机中,有四种高端的浸润式光刻机,分别是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。
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这4种浸润式光刻机,最高都是能够实现7nm芯片工艺的,怎么来实现呢,用的是多重曝光技术。 / q6 M' J3 U# J+ W
并且目前这种多重曝光技术,还有三种不同的方案,三种方案均可以在没有EUV光刻机,仅有浸润式光刻机的情况之下,实现7nm工艺。 6 n- V1 d( `) W! N
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这三种方式分别是LELE、LFLE、SADP。
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具体来说,LELE是指将原本一层的电路,拆分成几层进行光刻机,这样即使是DUV光刻机,也可以实现7nm。 8 k4 Z5 D. z* H4 G/ S& f f2 n
LFLE与LELE差不多,区别就是LELE是直接拆分成几层来光刻,而LFLE则是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上,再次进行光刻,形成两倍结构。 & l- N5 Y# |! `- ^ o/ z- l
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而SADP技术则与上面两种完全不一样了,SADP又称侧墙图案转移,用沉积、刻蚀技术提高光刻精度。
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不过大家要注意的是,不管是LELE,还是LFLE,或者SADF技术,都提高了对刻蚀、 沉积光刻等工艺的技术要求,同时对工作台的要求也非常高,因为多次对准,不能有偏移。 , x/ F v9 D. \0 \; w$ `
而通过多重曝光影响也比较大,一是会导致良率降低,毕竟多曝光一次,误差肯定就会变大,所以良率就会降低一些。
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同时多曝光一次,就相当于光刻的工时翻倍,效率降低一半,那么成本也会增加一倍。 ! k( U4 v. b7 u$ o
所以如果光刻机精度跟得上的情况下,一般不会采用多次曝光的技术,因为效率降低,同时良率也会显著下滑,最终导致成本可能成倍数上涨,非常不划算的。 4 x/ S5 j( [+ C5 p
只有在买不到高精度的光刻机,又急需工艺较先进的芯片时,就不去考虑成本,不得不采用多重曝光技术了。
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所以我这也算是给大家解释了,为什么没有EUV光刻机,也能够生产7nm芯片的原因。不过要进入5nm,就必须使用EUV光刻机,因为DUV光刻机精度有限,不能无限的多次曝光,按照专业人士的说法,目前的DUV光刻技术下,最多4次曝光,最多也只能达到7nm。 |