前沿科技之用于集成电路的先进电镀铜化学品

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巴斯夫（BASF）创造出一种先进的电镀铜化学品，可满足现今及未来芯片科技的需求。巴斯夫与IBM 于2007 年6月开始这一联合开发项目，这项创新的化学品解决方案是其直接成果。这种解决方案的表现超越了市场上现有的其它化学品；赋予电化学沉积铜工艺迅速、无缺陷的超填孔 (superfill) 能力，以制造更可靠、更优质的芯片。
实现无缺陷的电导线沉积是成功沉积铜工艺最关键的条件。在电镀铜沉积工艺中，传统的等向性充填(conformal fill)会在形体的上、下、外
: p$ }3 \- K+ z/ Z; T0 }围产生同样的铜沉积率，形成接缝及缺陷。通过采用巴斯夫的化学品可以实现快速的充填，一般称为“超填孔(superfill)”，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜导线。通过超填充的方式，底部的铜沉积率会比顶部及外围更高。
& X0 m6 t1 m- i% v. v' L! Q, b' `* b铜导线可显著改善芯片效能，这种高传导性金属的沉积是建构多层互连结构的关键性工艺。时下最先进的芯片技术被称为32 纳米技术节点，而下一代的22 纳米技术预期将于2011 年推出。当芯片尺寸越来越小，互连结构日趋复杂，要制造出高性能的芯片就更需要专门的化学知识。同时，纯熟完善的化学工艺解决方案也是必不可少的。
巴斯夫的电镀铜化学品已经可以应用在 32 纳米和22 纳米的芯片技术中，能明显改善芯片铜导线的可靠性，提升芯片的性能和质量。
两家公司正扩展他们的合作计划，以确定量产所需的参数。相关的技术、化学品和材料预计可于 2010 年中期上市供应。
巴斯夫全球电子材料业务部研发部门的资深经理兼该项目负责人Dieter Mayer 表示：“我们为这一创新的化学品感到兴奋无比。巴斯 夫与IBM
& {/ k2 I8 Q) B6 i2 P0 c" F3 q团队选择了一种新的方式，通过对于沉积铜物理特性的了解来设计分子添加剂系统。利用巴斯夫与IBM 强大的资源，我们已经克服了在电镀铜方面的主要挑战，朝着制造更小、更快、更可靠芯片的目标又迈进了一步。”
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22纳米没有隧穿效应的制约了么？？