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中国自产的光刻机是什么精度的

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1#
发表于 2024-10-16 15:50:56 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
听说中国自产光刻机了,中国自产的光刻机是什么精度的?
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15#
发表于 2024-10-17 08:58:45 | 只看该作者
光刻机难的不是某一个设备的精度 而是一整套系统的最低精度  因为老美会一次次的封锁你,(我也不是很懂 大概意思如此)比如要生产芯片要原材料 原材料生产设备 零部件 零部件生产设备等等一系列设备产出物最后在放到光刻机上 出来的成功率多少的高等级芯片,比如现在老美封锁光刻机 等你光刻机成熟了就封锁你原材料等等一系列的,因为要保证最后产品的精度,肯定是前面一系列设备累计公差得到的最小公差  个人理解
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14#
发表于 2024-10-17 08:13:58 | 只看该作者
四重曝光 等效7-5纳米
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13#
发表于 2024-10-16 21:25:14 | 只看该作者
1米左右,应该能达到,
中国在这方面还是很差的,

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12#
发表于 2024-10-16 18:37:38 | 只看该作者
看用在哪里吧!芯片不是越小越好的。
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11#
发表于 2024-10-16 17:22:08 | 只看该作者
不要看别人说什么,看看高精度机床有国产的嘛?实验室的东西没有用,听说也是用国外的二手设备组装的
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10#
发表于 2024-10-16 17:06:32 | 只看该作者
。在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》中提到了国产光刻机的一些参数:光源波长为193纳米,分辨率为65纳米,套刻精度达到8纳米或以下。这表明该光刻机能够用于65纳米及以上工艺节点的集成电路制造

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说的没错,很多人看到8nm就高潮了  发表于 2024-10-16 17:23
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9#
发表于 2024-10-16 17:05:20 | 只看该作者
目前的状态是 分辨率65nm,意味着有机会能刻出65nm芯片,不计代价多重曝光的话,或许还能努力够到28nm芯片

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文章看了,介绍的通俗易懂,我这中搞机的都看懂了  发表于 2024-10-17 08:28
可以看一个大神的解读,说的特别清楚 https://zhuanlan.zhihu.com/p/721859935  发表于 2024-10-16 17:06
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8#
发表于 2024-10-16 16:57:34 | 只看该作者
前两年那个HW的7纳是哪里生产的?

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华为的7纳米用的是进口的DUV的机器 然后水中多重曝光做的  发表于 2024-10-16 17:10
还有哪里,肯定中芯国际啊  发表于 2024-10-16 17:04
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7#
发表于 2024-10-16 16:39:06 | 只看该作者
找欧皇做一百亿个总有一个传说
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