机械必威体育网址

 找回密码
 注册会员

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 2914|回复: 2
打印 上一主题 下一主题

CCD和CMOS的区别--影像测量硬件选择

[复制链接]
跳转到指定楼层
1#
发表于 2008-3-21 09:13:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
有鉴于许多网友询问 CCD 与 CMOS 的主要差别。我们暂时撇开复杂的技术文字,透过简单的比较来看这两种不同类型,作用相同的影像感光元件。 / a! g& V# x& s+ i
  不管,CCD 或 CMOS,基本上两者都是利用矽感光二极体(photodiode)进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近,光线越强、电力越强;反之,光线越弱、电力也越弱的道理,将光影像转换为电子数字信号。
( L0 x- z2 k- |- d9 G  Q- ^0 E+ ^2 a! e. |  x. t
  比较 CCD 和 CMOS 的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说,按我们在上一讲“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之内容。CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大,再串联 ADC 输出;相对地,CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC(放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信号。/ g9 ]6 t9 Q4 y- j! b: @
" X$ d; ~% C7 o

+ K& [2 K) J, F: x& a2 z$ _# P; |/ I1 p1 R( \7 g$ j
0 l5 V# c& ]- L) x: W- Q
两者优缺点的比较
5 A8 Y7 u! u- _+ u- X# w5 Z  H! ]4 t& e0 i2 l. F+ ?* t6 N7 R
CCD CMOS
9 c' Q. A1 E8 _3 v; x设计 单一感光器 感光器连接放大器 9 s5 I' j5 v( y
灵敏度 同样面积下高 感光开口小,灵敏度低 . r! X3 F# I5 v- K
成本 线路品质影响程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低 ; d& f! |0 @- u6 V  \
解析度 连接复杂度低,解析度高 低,新技术高
6 u/ V+ r! c* d! m噪点比 单一放大,噪点低 百万放大,噪点高
& a$ U% k0 W$ [, y: e* J功耗比 需外加电压,功耗高 直接放大,功耗低
8 R+ [# G$ h+ I  H3 i2 O
9 m! l+ v$ \) r  由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。8 R: g3 }# O7 ~' V& X; `  }+ C
7 W4 m( N) p2 X
  整体来说,CCD 与 CMOS 两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:; H+ E/ C7 q$ n  C' n) o( I
9 F5 l$ s9 e# n
  ISO 感光度差异:由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此 相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS的感光度会低于CCD。) K$ ?# T) }% V3 {% ]- t; ?% |4 {/ J
8 I% \$ F1 ~. j% |% I2 x+ E
  成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失;相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的 讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边,CCD的制造成本相对高于CMOS。6 _  G+ H& B2 W& s4 @, c3 Q% ?

# l1 y0 c- o; W7 Z0 t* o  解析度差异:在第一点“感光度差异”中,由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂,其感光开口不及CCD大, 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时,CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过,如果跳脱尺寸限制,目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计,CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难,特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。
% J$ q; o) n4 o! ~$ T9 x# Q
7 U- I/ L8 x& N7 p9 J  噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的 ADC 放大器,虽然是统一制造下的产品,但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在,很难达到放大同步的效果,对比单一个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。
% L5 \7 `( \9 q9 [$ W( f4 A
% F  R, n& J, ^3 P8 h  耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式,感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式, 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度,高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。
/ P& F7 {7 b1 `" v9 y$ U2 v1 e1 Y6 Y) L6 b0 ^
  尽管 CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS,但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。 由于数码影像的需求热烈,CMOS的低成本和稳定供货,成为厂商的最爱,也因此其制造技术不断地改良更新,使得 CCD 与 CMOS 两者的差异逐渐缩小 。新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标,以期进入照相手机的行动通讯市场;CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合,藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现, 特别是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 CMOS 所产生的影像处理时间与能力的缩短;另外,大尺寸全片幅则以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 这一系列的数码机身为号召,CMOS未来跨足高阶的影像市场产品,前景可期。
( ^* o( v1 [: Y. O+ m( t    专业测量以及高级影像测量还是主要以CCD为主。
回复

使用道具 举报

2#
发表于 2008-3-21 13:34:30 | 只看该作者

回复

楼主知道的好清楚哦,我只知道CCD比CMOS成像质量要好
回复 支持 反对

使用道具 举报

3#
 楼主| 发表于 2008-3-29 21:37:21 | 只看该作者
过奖!谢谢!大家一起分享了
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册会员

本版积分规则

小黑屋|手机版|Archiver|机械必威体育网址 ( 京ICP备10217105号-1,京ICP证050210号,浙公网安备33038202004372号 )

GMT+8, 2024-11-17 08:35 , Processed in 0.049716 second(s), 14 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表