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标题: 前沿科技之新的磁隧道结技术 [打印本页]

作者: 扫街 时间: 2013-1-6 19:52
标题: 前沿科技之新的磁隧道结技术
随机存取存储器（RAM）是一种快速电子设备，可在计算机上临时存储数据。传统的RAM基于电流。为了研发出更节能，更高效，容量更大的RAM，硬件研发人员开始把注意力转到了基于磁场的RAM上。然而，想要缩小基于磁场RAM的体积，热不稳定性会成为障碍。
新加坡科技研究局数据存储研究所（A*STAR Data Storage Institute）的科学家找到了一种解决方法，也许可以让小型磁存储器在较高的温度下保持稳定，同时耗电量更低。这意味着更多的数据能以更低的价格存储在一张芯片上。研究人员把磁隧道结（MTJ）应用到了存储器中。之前的研究表明，电场只有作用在相当大的设备（7微米）上可以改进磁隧道结的性质，但体积较大的结构读写速度较慢，也不容易与其他设备兼容。

数据存储研究所的科学家用CoFeB-MgO制成150纳米的MTJ，连在电极两端。这种MTJ体积更小，也可储存更多的信息。新的磁存储器可以把改变磁化的磁场需求降低30%，所以在存储器上记录数据所需的电流密度也降低了。

展望：
新的设备可以改进数据的复制速度。也就是说，从移动硬盘把数据转移到计算机里的时间会变得更短，硬盘读取速度也会更快。

作者: chidiandong 时间: 2013-1-6 20:01
俺们期待新型计算机的到来！

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