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标题: 中国自产的光刻机是什么精度的 [打印本页]

作者: 军师不信邪    时间: 2024-10-16 15:50
标题: 中国自产的光刻机是什么精度的
听说中国自产光刻机了,中国自产的光刻机是什么精度的?

作者: cangzhoumj    时间: 2024-10-16 16:06
都会有的
作者: 卢Tiger    时间: 2024-10-16 16:11
听说是14纳米
作者: 不是高级工程师    时间: 2024-10-16 16:12
成熟产品14纳米,7纳米也产,良品率低。
作者: HaloSmart    时间: 2024-10-16 16:12
规模化的稳定在28nm吧
作者: 军师不信邪    时间: 2024-10-16 16:21
挺想换手机的   喜欢华为  但华为太贵,性价比低   我有玩游戏的习惯

作者: 来自何方    时间: 2024-10-16 16:39
找欧皇做一百亿个总有一个传说
作者: 前景钱    时间: 2024-10-16 16:57
前两年那个HW的7纳是哪里生产的?
作者: 鸟与鱼    时间: 2024-10-16 17:05
目前的状态是 分辨率65nm,意味着有机会能刻出65nm芯片,不计代价多重曝光的话,或许还能努力够到28nm芯片
作者: 学者11    时间: 2024-10-16 17:06
。在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》中提到了国产光刻机的一些参数:光源波长为193纳米,分辨率为65纳米,套刻精度达到8纳米或以下。这表明该光刻机能够用于65纳米及以上工艺节点的集成电路制造
作者: 君越168    时间: 2024-10-16 17:22
不要看别人说什么,看看高精度机床有国产的嘛?实验室的东西没有用,听说也是用国外的二手设备组装的

作者: 华2017    时间: 2024-10-16 18:37
看用在哪里吧!芯片不是越小越好的。
作者: 尹志春    时间: 2024-10-16 21:25
1米左右,应该能达到,
中国在这方面还是很差的,


作者: 1409787773    时间: 2024-10-17 08:13
四重曝光 等效7-5纳米
作者: 救赎.    时间: 2024-10-17 08:58
光刻机难的不是某一个设备的精度 而是一整套系统的最低精度  因为老美会一次次的封锁你,(我也不是很懂 大概意思如此)比如要生产芯片要原材料 原材料生产设备 零部件 零部件生产设备等等一系列设备产出物最后在放到光刻机上 出来的成功率多少的高等级芯片,比如现在老美封锁光刻机 等你光刻机成熟了就封锁你原材料等等一系列的,因为要保证最后产品的精度,肯定是前面一系列设备累计公差得到的最小公差  个人理解




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