英特尔1.8nm工艺抢先量产，台积电：不评价
在今年IEDM会议（国际电子器件会议）上，英特尔公布了其工艺技术路线图以及未来三到四年内可用的芯片设计愿景。该计划透露了英特尔 18A（等效1.8 nm级）工艺的最新时间表，预计将该工艺提前至2024 年下半年进入大批量制造 (HVM)，这将远远超过台积电2nm工艺的进度。
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面对英特尔的挑战，台积电联席CEO魏哲家在近期回应称，他不会评价竞争对手的发展，但同时，“台积电的N3工艺率先实现大批量生产，是当前最先进的，N2工艺还会再次这么做，甚至会扩大领导地位。”
据报道称，英特尔18A工艺是该公司掌握五代CPU工艺中的最后一环，是20A工艺的改进版，每瓦性能比提升10%，同时它也是对外代工的主力。也就在前不久，英特尔与ARM达成了合作协议，将基于18A工艺为ARM生产芯片。
而台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构，首次使用GAA晶体管，相较于其N3E（3nm的低成本版）工艺，在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%。但相较于前代工艺，升级幅度并不大。
在英特尔看来，18A工艺是与台积电竞争的关键，后者的2nm工艺预计在2025年才能量产。
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