全球首家:三星宣布量产3纳米芯片
三星电子有限公司周四宣布,该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片,是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。与前几代使用 FinFET 的芯片不同,三星使用的 GAA(Gate All Around)晶体管架构,该架构大大改善了功率效率。三星公司在一份声明中说,与传统的 5 纳米芯片相比,新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗,性能提高 23%,并减少 16% 的面积。三星还称,第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%,性能提高 30%,面积减少 35%。
目前台积电仍然是全球最先进的代工芯片制造商,控制着全球芯片代工市场约54%的份额,主要客户包括苹果和高通等。
三星电子以16.3%的市场份额排名第二,遥遥领先于其他对手,曾于去年宣布了一项171万亿韩元(约合1320亿美元)的投资计划,期望到2030年超越台积电,成为全球最大的逻辑芯片制造商。
虽然三星电子是全球首家量产3纳米芯片的公司,但根据台积电的计划,该公司将在2025年量产2纳米芯片。
期待国产
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